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MRFE6VP8600HR5 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

发布时间: 2019/5/30 10:24:41 | 295 次阅读

NXP MRFE6VP8600H LDMOSn通道宽带射频功率MOSFET

NXP的MRFE6VP8600H LDMOS n通道宽带射频功率MOSFET是为470至860 MHz的宽带运行而设计的。该设备具有集成的输入匹配网络,以实现更好的功率分配。NXP MRF6VP8600H能够处理65:1通过所有阶段角度在50伏直流电压驻波比,860 MHz,对AB类异常效率模拟或数字电视操作,有一个综合的输入匹配,使快速,容易和放大器的完全关闭,并延长负gate-source -6.0 V + 10 V的电压范围。这些设备非常适合用于模拟或数字电视发射机。

特性

能够处理>65:1 VSWR通过所有相位角@ 50 VDC, 860 MHz, DVB-T (8k OFDM) 240瓦平均输出功率(从额定输出功率3 dB输入超驱动)

特别适用于AB类模拟或数字电视操作

全性能横跨完整的超高频电视频谱,470-860 MHz

具有600瓦连续波输出功率和足够的热管理能力

集成输入匹配

扩展负栅源电压范围-6.0 V到+ 10v

改善C班的表现,例如在Doherty高峰阶段

使快速,容易和完全关闭放大器

特点是在20v到50v之间,用于扩大工作范围,与漏调制一起使用

的热特性

通过无铅

典型的窄带性能:VDD = 50伏,IDQ = 1400毫安,通道带宽= 8mhz,输入信号PAR = 9.5 dB @ CCDF的概率为0.01%。ACPR以7.61 MHz信号带宽@±4mhz偏移量测量,积分带宽为4khz。

信号类型撅嘴

f (W)

(MHz) gps

(dB) ? D

(%)acpr

(dBc) irl

(dB)

DVB-T (8k OFDM) 125 avg . 860 19.3 30.0 -60.5 -12

典型的脉冲宽带性能:VDD = 50伏特,容器= 1400 mA,脉冲宽度= 100μsec,工作周期= 10%

信号类型撅嘴

f (W)

(MHz) gps

(dB)ηd

(%)

脉冲600峰值470 19.3 47.1

650年20.0 53.1

860年18.8 48.9