STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

FEATURES

RDS(on)* Qg行业基准

非常低的导通电阻RDS(on)

高雪崩耐受性

低栅极驱动功率损耗

非常低的开关栅极电荷

应用

工业

电机控制：手持式工具、风扇控制、小家电、电动自行车、BLDC、牵引、叉车、绿色汽车

DC-AC和DC-DC (SMPS)、医疗、UPS、家电

服务器用SMPS、太阳能和台式机、交流/直流转换器、电池充电器、适配器、焊接、计量

照明：CFL、HID、HF镇流器、投射灯、3 0辅助电源

电池保护

升压和微型逆变器

汽车

安全和底盘：车窗升降控制器、电子驻车制动

动力传动系：泵控制、变速箱

车身电子装置：雨刮、天窗

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